(VnMedia) - Nữ sinh Eesha Khare, 18 tuổi ở California (Mỹ) đã nhận được giải thưởng nhà khoa học trẻ Intel (Intel Foundation Young Scientist Award) trị giá 50 nghìn USD, đã phát minh ra siêu tụ điện cho phép sạc pin điện thoại chỉ mất 20 giây.
 |
|
Dự án của Khare có tên “Thiết kế và tổng hợp hydro hóa các thanh TiO2 nano dành cho các siêu tụ điện hiệu suất cao mềm dẻo”. Siêu tụ điện này được sử dụng cho các đèn LED năng lượng cao và cũng được sử dụng trong các môi trường mềm dẻo giống như màn hình mềm dẻo có thể uốn cong.
Siêu tụ điện do Khare phát triển có thể là chìa khóa để sạc pin cho điện thoại chỉ mất 20-30 giây. Điều đáng ngạc nghiên là công nghệ này có chu kỳ sạc lên tới 10.000 lần, gấp 10 lần so với các nguồn pin hiện đại nhất hiện nay.
Siêu tụ điện sẽ có phạm vi ứng dụng rất rộng, vì công nghệ này không chỉ rất hữu ích mà còn có thể tích hợp trong nguồn pin kích cỡ nhỏ của smartphone hay các xe điện trong tương lai…
Khare có dự định tiếp tục phát triển nghiên cứu của đề án này và hy vọng giải thưởng trị giá 50 nghìn USD sẽ giúp cô trang trải khoản học phí tại trường đại học Harvard. Google cũng đã liên lạc với Khare nhưng cô từ chối cung cấp thông tin chi tiết về cuộc đàm thoại với gã khổng lồ tìm kiếm.
Liệu có phải Google đang tìm cách mua lại phát minh của Khare để tạo ra smartphone đầu tiên trên thế giới với nguồn pin chỉ cần chưa đầy 1 phút để sạc đầy.
Tuệ Minh -
(Theo Slashgear)
Ý kiến bạn đọc